IPD042P03L3G BTS5215LAUMA1 IC Chip Linh kiện điện tử mới

Mô tả ngắn:

Gửi email cho chúng tôi Tải xuống bảng ngày

Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

IPD042P03L3 G
Chế độ nâng cao kênh P Transistor hiệu ứng trường (FET), -30 V, D-PAK
Dòng Opti MOS™ có tính cải tiến cao của Infineon bao gồm MOSFET công suất kênh p.Những sản phẩm này luôn đáp ứng nhu cầu về chất lượng và hiệu suất cao nhất trong các thông số kỹ thuật chính cho thiết kế hệ thống điện như điện trở trạng thái và các đặc tính đáng khen.

Tóm tắt các tính năng
Chế độ nâng cao
Mức logic
trận tuyết lở được xếp hạng
Chuyển đổi nhanh
xếp hạng Dv/dt
Mạ chì không chứa Pb
Tuân thủ RoHS, không chứa halogen
Đạt tiêu chuẩn AEC Q101
Ứng dụng tiềm năng
Chức năng quản lý nguồn
Điều khiển động cơ
Bộ sạc trên tàu
DC-DC
Người tiêu dùng
Trình dịch mức logic
Trình điều khiển cổng MOSFET nguồn
Các ứng dụng chuyển mạch khác

Thông số kỹ thuật

Thuộc tính sản phẩm	Giá trị thuộc tính
Nhà chế tạo:	Infineon
Danh mục sản phẩm:	MOSFET
RoHS:	Chi tiết
Công nghệ:	Si
Kiểu lắp:	SMD/SMT
Gói/Trường hợp:	ĐẾN-252-3
Phân cực của bóng bán dẫn:	Kênh P
Số kênh:	1 kênh
Vds - Điện áp đánh thủng nguồn thoát nước:	30 V
Id - Dòng xả liên tục:	70 A
Rds Bật - Điện trở nguồn thoát nước:	3,5 mOhm
VSS - Điện áp nguồn cổng:	- 20V, + 20V
VSS th – Điện áp ngưỡng nguồn cổng:	2V
Qg - Phí cổng:	175 nC
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ hoạt động tối đa:	+ 175 C
Pd – Tiêu tán điện năng:	150 W
Chế độ kênh:	Sự nâng cao
Tên thương mại:	OptiMOS
Bao bì:	cuộn
Bao bì:	Cắt băng
Bao bì:	Cuộn chuột
Thương hiệu:	Công nghệ Infineon
Cấu hình:	Đơn
Giảm thời gian:	22 giây
Độ dẫn chuyển tiếp - Tối thiểu:	65 giây
Chiều cao:	2,3 mm
Chiều dài:	6,5 mm
Loại sản phẩm:	MOSFET
Thời gian tăng:	167 ns
Loạt:	OptiMOS P3
Số lượng gói nhà máy:	2500
Tiểu thể loại:	MOSFET
Loại bóng bán dẫn:	1 kênh P
Thời gian trễ tắt điển hình:	89 giây
Thời gian trễ bật điển hình:	21 giây
Chiều rộng:	6,22 mm
Phần # Bí danh:	IPD42P3L3GXT SP000473922 IPD042P03L3GBTMA1
Đơn vị trọng lượng:	0,011640 oz