AQX IRF7416TRPBF Chip mạch tích hợp mới và độc đáo IRF7416TRPBF
Thuộc tính sản phẩm
| KIỂU | SỰ MIÊU TẢ |
| Loại | Sản phẩm bán dẫn rời rạc |
| người bán | Công nghệ Infineon |
| Loạt | HEXFET® |
| Bưu kiện | Băng & Cuộn (TR) Cắt băng (CT) Digi-Reel® |
| trạng thái sản phẩm | Tích cực |
| Loại FET | Kênh P |
| Công nghệ | MOSFET (Ôxít kim loại) |
| Xả điện áp nguồn (Vdss) | 30 V |
| Hiện tại – Xả liên tục (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu) | 4,5V, 10V |
| Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS | 20mOhm @ 5.6A, 10V |
| Vss(th) (Tối đa) @ Id | 1V @ 250µA |
| Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS | 92 nC @ 10 V |
| VSS (Tối đa) | ±20V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 25 V |
| Tính năng FET | - |
| Tản điện (Tối đa) | 2,5W (Ta) |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Gắn bề mặt |
| Gói thiết bị của nhà cung cấp | 8-SO |
| Gói / Thùng | 8-SOIC (0,154”, Chiều rộng 3,90mm) |
| Số sản phẩm cơ sở | IRF7416 |
Tài liệu & Phương tiện
| LOẠI TÀI NGUYÊN | LIÊN KẾT |
| Bảng dữ liệu | IRF7416PbF |
| Các tài liệu liên quan khác | Hệ thống đánh số phần IR |
| Mô-đun đào tạo về sản phẩm | Mạch tích hợp điện áp cao (Trình điều khiển cổng HVIC) |
| Sản phẩm nổi bật | Hệ thống xử lý dữ liệu |
| Bảng dữ liệu HTML | IRF7416PbF |
| Mô hình EDA | IRF7416TRPBF của Ultra Librarian |
| Mô hình mô phỏng | Mẫu Sabre IRF7416PBF |
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
| THUỘC TÍNH | SỰ MIÊU TẢ |
| Trạng thái RoHS | Tuân thủ ROHS3 |
| Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL) | 1 (Không giới hạn) |
| Trạng thái TIẾP CẬN | REACH Không bị ảnh hưởng |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Tài nguyên bổ sung
| THUỘC TÍNH | SỰ MIÊU TẢ |
| Vài cái tên khác | IRF7416TRPBFDKR SP001554262 IRF7416TRPBFCT IRF7416TRPBF-ND IRF7416TRPBTR |
| Gói tiêu chuẩn | 4.000 |
IRF7416
Những lợi ích
Cấu trúc ô phẳng cho SOA rộng
Được tối ưu hóa để có được khả năng cung cấp rộng rãi nhất từ các đối tác phân phối
Chất lượng sản phẩm theo tiêu chuẩn JEDEC
Silicon được tối ưu hóa cho các ứng dụng chuyển đổi dưới <100KHz
Gói nguồn gắn trên bề mặt tiêu chuẩn công nghiệp
Có khả năng hàn sóng
MOSFET công suất HEXFET kênh P đơn -30V trong gói SO-8
Những lợi ích
Tuân thủ RoHS
RDS thấp (bật)
Chất lượng dẫn đầu ngành
Xếp hạng dv/dt động
Chuyển đổi nhanh
Đã được xếp hạng Avalanche hoàn toàn
Nhiệt độ hoạt động 175°C
MOSFET kênh P
bóng bán dẫn
Transistor là mộtthiết bị bán dẫnđã từngkhoa trươnghoặccông tắctín hiệu điện vàquyền lực.Transistor là một trong những khối xây dựng cơ bản của công nghệ hiện đạithiết bị điện tử.[1]Nó bao gồmvật liệu bán dẫn, thường có ít nhất bathiết bị đầu cuốiđể kết nối với một mạch điện tử.MỘTVônhoặchiện hànháp dụng cho một cặp cực của bóng bán dẫn sẽ điều khiển dòng điện qua một cặp cực khác.Vì công suất điều khiển (đầu ra) có thể cao hơn công suất điều khiển (đầu vào) nên bóng bán dẫn có thể khuếch đại tín hiệu.Một số bóng bán dẫn được đóng gói riêng lẻ, nhưng nhiều bóng bán dẫn khác được nhúng trongmạch tích hợp.
Áo-Hungary nhà vật lý Julius Edgar Lilienfeldđã đề xuất khái niệm về mộtbóng bán dẫn hiệu ứng trườngvào năm 1926, nhưng thực sự không thể chế tạo được một thiết bị hoạt động được vào thời điểm đó.[2]Thiết bị làm việc đầu tiên được chế tạo là mộtbóng bán dẫn tiếp xúc điểmđược phát minh vào năm 1947 bởi các nhà vật lý người MỹJohn BardeenVàWalter Brattaintrong khi làm việc dướiWilliam ShockleyTạiPhòng thí nghiệm Bell.Ba người chia sẻ năm 1956Giải Nobel Vật lývì thành tích của họ.[3]Loại bóng bán dẫn được sử dụng rộng rãi nhất là loạiTransistor hiệu ứng trường kim loại-oxit-bán dẫn(MOSFET), được phát minh bởiMohamed AtallaVàDawon Kahngtại Phòng thí nghiệm Bell vào năm 1959.[4][5][6]Bóng bán dẫn đã cách mạng hóa lĩnh vực điện tử và mở đường cho các loại bóng bán dẫn nhỏ hơn và rẻ hơnradio,máy tính, Vàmáy tính, Trong số những thứ khác.
Hầu hết các bóng bán dẫn được làm từ rất tinh khiếtsilic, và một số từgermani, nhưng một số vật liệu bán dẫn khác đôi khi cũng được sử dụng.Một bóng bán dẫn có thể chỉ có một loại hạt mang điện, trong bóng bán dẫn hiệu ứng trường, hoặc có thể có hai loại hạt mang điện trongĐiện trở lưỡng cực có mối nốithiết bị.So vớiống chân không, bóng bán dẫn thường nhỏ hơn và cần ít năng lượng hơn để hoạt động.Một số ống chân không nhất định có ưu điểm hơn bóng bán dẫn ở tần số hoạt động rất cao hoặc điện áp hoạt động cao.Nhiều loại bóng bán dẫn được chế tạo theo thông số kỹ thuật tiêu chuẩn của nhiều nhà sản xuất.
